Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1113)
SS8050CBU Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 1.5 А, 1Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц
SS8050DBU Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц
SS8050DTA Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц
SS8550CBU Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 МГц
SS8550DBU Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 МГц
SS8550DTA Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 МГц
SS9014CBU Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 450 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 270 МГц
Акция SS9018HBU Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 50 мА, 0.4 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Ток коллектора Макс.: 50 мА
TIP101G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
TIP102G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 80 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
317 шт
Цена от:
от 115,63
TIP102TU Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
317 шт.
Цена от:
от 32,93
TIP105 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
TIP107G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
12 шт
Цена от:
от 84,45
TIP107TU Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
12 шт.
Цена от:
от 84,45
Акция TIP110 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной
TIP110G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной
TIP110TU Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
TIP111G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной
TIP112 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
1 189 шт.
Цена от:
от 31,58
TIP112G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 189 шт
Цена от:
от 53,12
На странице: