Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1113)
SBC848BLT1G TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Акция SBC856BLT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
109 217 шт
Цена от:
от 0,55
SBC856BLT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3
SBC856BLT3G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
SBC856BWT1G TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
SBC857BDW1T1G TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-363 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА
SBC857BLT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
SBC857BWT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
SBC857CLT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
SBCP53-10T1G TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 63 @ 150mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц
SBCP53-16T1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц
SBCP56-10T1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 63 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 130 МГц
Новинка SBCP56-16T1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 130 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
60 361 шт
Цена от:
от 4,79
SBCP56-16T3G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 130 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
60 361 шт
Цена от:
от 4,01
SBCP56T1G TRANS NPN 80V 1A SOT-223 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 @ 150mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 130 МГц
SBCP68T1G Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 85 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 60 МГц
SCBCP56-10T1G NPN Bipolar Transistor 80V Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В
SMMBT2222ALT1G TRANS NPN 40V 0.6A SOT23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 150mA, 10V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
SMMBT2222ALT3G TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
SMMBT2907ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
125 746 шт
Цена от:
от 0,79
На странице: