Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

SBC807-25LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

SBC807-25LT3G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

SBC807-40LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

101 229 шт

Цена от:

от 0,92₽

SBC807-40LT3G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

SBC807-40WT1G TRANS PNP 45V 0.5A SC-70 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 460 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

SBC817-16LT3G TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

SBC817-25LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

SBC817-25LT3G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

Акция

SBC817-40LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 152 095 шт

Цена от:

от 0,76₽

SBC817-40LT3G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 152 095 шт

Цена от:

от 0,76₽

SBC846ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 110 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

68 596 шт

Цена от:

от 0,80₽

SBC846BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 867 652 шт

Цена от:

от 0,51₽

SBC846BLT3G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 867 652 шт

Цена от:

от 0,51₽

SBC846BWT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

211 890 шт

Цена от:

от 0,78₽

SBC847BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

318 160 шт

Цена от:

от 0,56₽

SBC847BPDW1T1G TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА

Сообщить о поступлении

SBC847BWT1G TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

SBC847CDXV6T1G TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-563 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА

Сообщить о поступлении

Акция

SBC847CLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

355 272 шт

Цена от:

от 0,63₽

SBC847CWT1G Транзистор биполярный NPN 45В 0.1A SOT-323 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 @ 2mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении