Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

На корпус (5)
Сквозной (713)
Поверхностный (1383)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

PZT2907AT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, 1.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

PZT2907AT3G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

PZT3904 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223

Сообщить о поступлении

PZT3904T1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 1.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

PZT3906 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223-4

Сообщить о поступлении

PZT651T1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А, 0.8Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 800 мВт Коэффициент усиления hFE: 75 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 75 МГц

Сообщить о поступлении

PZT751T1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2 А, 0.8 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 800 мВт Коэффициент усиления hFE: 75 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 75 МГц

Сообщить о поступлении

PZTA06 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

PZTA14 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 1.2 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 20000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц

Сообщить о поступлении

PZTA28 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц

Сообщить о поступлении

PZTA42 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 1 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223

Сообщить о поступлении

PZTA42T1G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 1.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

PZTA56 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

PZTA64 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 1.2 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 20000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц

Сообщить о поступлении

PZTA92 Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223

Сообщить о поступлении

PZTA92T1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.05 А, 1.5W Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

PZTA96ST1G Биполярный транзистор, PNP, 450 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 450 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

S2SC4617G Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 125 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 180 МГц

Сообщить о поступлении

SBC807-16LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

SBC807-16LT3G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении