Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

NZT651 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.2 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 75 МГц

Сообщить о поступлении

NZT660 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 75 МГц

Сообщить о поступлении

NZT660A Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 75 МГц

Сообщить о поступлении

NZT6717 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223-3

Сообщить о поступлении

NZT7053 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

NZT751 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.2 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 75 МГц

Сообщить о поступлении

NZT753 Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 75 МГц

Сообщить о поступлении

PN2222ABU Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

PN2222ATA Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

PN2222ATF Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

PN2222ATFR Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

PN2907ABU Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

PN2907ATA Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

PN2907ATFR Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

PN2907BU Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

PN3640 Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 500 МГц

Сообщить о поступлении

PZT2222A Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

2 004 шт.

Цена от:

от 11,04₽

PZT2222AT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 1.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 004 шт

Цена от:

от 11,04₽

PZT2222AT3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 004 шт

Цена от:

от 11,04₽

PZT2907A Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223

Сообщить о поступлении