Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1113)
NSV60600MZ4T1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
NSV60600MZ4T3G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 800 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
NSV60601MZ4T1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
NSV60601MZ4T3G Биполярный транзистор, NPN, 60В, 6А SOT223-4 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT223-4
NSVBC817-16LT1G TRANS, NPN, 45V, 0.5A, 150DEG C, 0.3W Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 0.3 Вт
NSVBC817-40WT1G Транзистор общего применения биполярный NPN 45В 0.5A 460мВт 3-Pin SC-70 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 0.46 Вт
NSVBC847BLT3G Транзистор биполярный NPN 45В 0.1A SOT-23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА
NSVBC847BTT1G Транзистор биполярный NPN 45В 0.1A SC75 Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА
NSVBC856BM3T5G Биполярный транзистор Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В
NSVBC857BLT3G Транзистор биполярный PNP 45В 0.1A SOT-23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА
NSVBC857CWT1G Транзистор общего применения биполярный PNP 45В 0.1A 150мВт 3-Pin SC-70 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА
NSVBC858CLT1G TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3
NSVBCP56-10T3G Транзистор биполярный NPN 80В 1A SOT-223 Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А
NSVBCP69T1G Транзистор биполярный PNP 20В 1A SOT223 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 1 А
NSVMMBT5401LT3G TRANS PNP 150V 0.5A SOT23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 60 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
NSVPZTA92T1G TRANS PNP 300V 0.5A SOT23 Производитель: ON Semiconductor
NZT44H8 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц
NZT45H8 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 40 МГц
NZT560A Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 75 МГц
NZT605 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 110 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 110 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
На странице: