Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

NSS30101LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 310 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS35200MR6T1G Биполярный транзистор, PNP, 35 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 35 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 460 мВт Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 460 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40300MZ4T1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 175 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 160 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40300MZ4T3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223

Сообщить о поступлении

Акция

NSS40301MZ4T1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А, 2Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 215 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40301MZ4T3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 215 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40501UW3T2G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-WDFN (2x2) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 875 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40601CF8T1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET8 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 830 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 140 МГц

Сообщить о поступлении

NSS60100DMTTBG Производитель: ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

NSS60200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2 А, 0.54Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 460 мВт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

NSS60201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А, 0.54W Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 460 мВт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS60600MZ4T1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 800 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

Новинка

NSS60601MZ4T1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6 А, 2Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 800 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

NST846BF3T5G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-1123

Сообщить о поступлении

NSV1C200LT1G TRANS PNP 100V 2A SOT23-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 490 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 @ 500mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 120 МГц

Сообщить о поступлении

NSV1C201LT1G TRANS NPN 100V 2A SOT23-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 490 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 @ 500mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц

Сообщить о поступлении

NSV1C301ET4G TRANS NPN 100V 3A 3DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 2.1 Вт

Сообщить о поступлении

NSV40301MZ4T1G TRANS NPN 40V 3A SOT223-4 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 800 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 215 МГц

Сообщить о поступлении