Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

NJW1302G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 75 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц

Сообщить о поступлении

NJW21193G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

NJW21194G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

NJW3281G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 75 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц

Сообщить о поступлении

NSL12AWT1G Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 450 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS12100UW3TCG Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-WDFN (2x2) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 740 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

NSS12100XV6T1G Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

NSS12200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

NSS12201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 460 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

NSS12501UW3T2G Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-WDFN (2x2)

Сообщить о поступлении

NSS1C200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 490 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 120 МГц

Сообщить о поступлении

NSS1C200MZ4T1G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 800 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 120 МГц

Сообщить о поступлении

NSS1C201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 490 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц

Сообщить о поступлении

NSS1C201MZ4T1G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 800 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS1C300ET4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252

Сообщить о поступлении

NSS20101JT1G Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 350 МГц

Сообщить о поступлении

NSS20200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 460 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS20201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 460 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

NSS20601CF8T1G Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET8 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 830 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 140 МГц

Сообщить о поступлении

NSS30071MR6T1G TRANS NPN 30V 0.7A SC74-6 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-74 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 700 мА Мощность Макс.: 342 мВт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении