Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Поверхностный (1383)
На корпус (5)
Сквозной (713)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

NJT4030PT3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 160 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

NJT4031NT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 215 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

NJT4031NT3G Биполярный транзистор NPN 40В 3A SOT-223 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 215 МГц

Сообщить о поступлении

NJVMJB44H11T4G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

NJVMJD112T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

NJVMJD117T4G TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK-4 Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 МГц

Сообщить о поступлении

NJVMJD122T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

NJVMJD31CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

NJVMJD31CT4G-VF01 Транзистор общего применения биполярный NPN 100В 5A 1560мВт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

NJVMJD32CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

NJVMJD32CT4G-VF01 Транзистор биполярный PNP 100В 3A DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

NJVMJD41CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

NJVMJD42CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

NJVMJD44H11T4G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 85 МГц

Сообщить о поступлении

NJVMJD44H11T4G-VF01 Транзистор общего применения биполярный NPN 80В 8A 1750мВт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

NJVMJD45H11T4G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 90 МГц

Сообщить о поступлении

NJVMJD45H11T4G-VF01 Транзистор общего применения биполярный PNP 80В 16A 1750мВт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

NJVNJD2873T4G Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.68 Вт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 65 МГц

Сообщить о поступлении

NJW0281G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 75 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц

Сообщить о поступлении

NJW0302G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 15 А, 150Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 15 А Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении