Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

MPS751 TRANS PNP 60V 2A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 75 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 75 МГц

Сообщить о поступлении

MPS751G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Сообщить о поступлении

Новинка

MPSA05G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

MPSA06 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MPSA06G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

MPSA42 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MPSA42G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

MPSA56G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MPSA92G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 0.5 А

Сообщить о поступлении

MPSA92RL1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Сообщить о поступлении

MSB92ASWT1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

MSB92AWT1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MSB92WT1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

MSD42WT1G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

MSLSBC856BLT1G Производитель: ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

Акция

NJD2873T4G Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.68 Вт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 65 МГц

Сообщить о поступлении

NJD35N04G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 350 В, 4 А, 45 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 45 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 90 МГц

Сообщить о поступлении

NJL1302DG Биполярный транзистор, PNP, 260 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Тип транзистора: PNP + диод Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 260 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 75 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц

Сообщить о поступлении

NJL3281DG Биполярный транзистор, NPN, 260 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 260 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 75 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц

Сообщить о поступлении

NJT4030PT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 160 МГц

Сообщить о поступлении