Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

MMBTA14LT1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 20000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц

Сообщить о поступлении

MMBTA28 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц

Сообщить о поступлении

MMBTA42 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

18 194 шт.

Цена от:

от 1,33₽

MMBTA42LT1G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

18 194 шт

Цена от:

от 1,33₽

MMBTA42LT3G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

18 194 шт

Цена от:

от 1,33₽

MMBTA55LT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MMBTA56 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А, 0.35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

727 шт

Цена от:

от 1,04₽

MMBTA56LT1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

727 шт

Цена от:

от 1,04₽

MMBTA56LT3G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

727 шт

Цена от:

от 1,04₽

Акция

MMBTA56WT1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

727 шт

Цена от:

от 1,04₽

MMBTA63LT1G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц

Сообщить о поступлении

MMBTA64 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

Акция

MMBTA64LT1G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А, 0.3 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 20000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц

Сообщить о поступлении

MMBTA92 Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

MMBTA92LT1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.25 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

243 335 шт

Цена от:

от 1,17₽

MMBTA92LT3G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

243 335 шт

Цена от:

от 1,17₽

MMJT350T1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 650 мВт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

Акция

MPS2222AG Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MPS2907A Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 0.6 А

Сообщить о поступлении

MPS2907ARLG Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Сообщить о поступлении