Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

MMBT5551LT1G Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

163 371 шт

Цена от:

от 0,79₽

MMBT5551LT3G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

163 371 шт

Цена от:

от 0,79₽

MMBT5551M3T5G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.06 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 60 мА Мощность Макс.: 265 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

Акция

MMBT589LT1G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 1 А, 0.31 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 310 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT5962 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 600 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

MMBT6427 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 40 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

MMBT6427LT1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 40 В, 0.5 А, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 20000 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

MMBT6428LT1G Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.2 А, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 700 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT6429LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 500 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 700 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT6517LT1G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT6520LT1G Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 0.5 А, 0.3 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT8099LT1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

MMBTA05LT1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.5 А, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

MMBTA06 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

MMBTA06LT1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

641 шт

Цена от:

от 1,24₽

MMBTA06LT3G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

641 шт

Цена от:

от 1,24₽

MMBTA06WT1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

MMBTA13 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

Акция

MMBTA13LT1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц

Сообщить о поступлении

MMBTA14 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении