Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

MMBT4124 Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT4401LT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.3W Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

96 454 шт

Цена от:

от 0,93₽

MMBT4401LT3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

96 454 шт

Цена от:

от 0,93₽

MMBT4401M3T5G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 265 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT4403 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

12 553 шт

Цена от:

от 0,90₽

MMBT4403LT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

12 553 шт

Цена от:

от 0,90₽

MMBT4403LT3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

12 553 шт

Цена от:

от 0,90₽

MMBT4403WT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MMBT489LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 710 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT5087 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

Акция

MMBT5087LT1G Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.05 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 40 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT5088 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT5088LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.05 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MMBT5089 Биполярный транзистор, NPN, 25 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 400 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT5089LT1G Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 0.05 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 400 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT5401 Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.6 А, 0.35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 60 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

55 915 шт

Цена от:

от 0,87₽

MMBT5401LT1G Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 60 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

55 915 шт

Цена от:

от 0,87₽

MMBT5550 Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

MMBT5550LT1G Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 0.6 А, 0,225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 140 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 60 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

Акция

MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0.35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

163 371 шт

Цена от:

от 0,79₽