Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

Акция

2N6045G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 75Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6052G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 12 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6107G Биполярный транзистор, PNP, 70 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 70 В Ток коллектора Макс.: 7 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 10 МГц

Сообщить о поступлении

2N6109G Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 7 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 10 МГц

Сообщить о поступлении

2N6111G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 7 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 10 МГц

Сообщить о поступлении

2N6284G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 20 А Мощность Макс.: 160 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6287G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 20 А Мощность Макс.: 160 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6292G Биполярный транзистор, NPN, 70 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 70 В Ток коллектора Макс.: 7 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

2N6341G Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 25 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 25 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 40 МГц

Сообщить о поступлении

2N6387G Транзистор биполярный NPN Дарлингтона 60В 10A TO220AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN - Darlington Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 @ 5A, 3V Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6388G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6487G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 1.8 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 5 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

2N6488G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 15 А, 75 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 1.8 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 5 МГц

Сообщить о поступлении

2N6490G Транзистор биполярный PNP 60В 15A TO-220AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 1.8 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 @ 5A, 4V Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 5 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

2N6491G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 15 А, 75 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 1.8 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 5 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

2N6517BU Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А, 0.63 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

2N6517TA Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А, 0.6 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 0.5 А Мощность Макс.: 0.6 Вт

Сообщить о поступлении

2N6520TA Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

2SA1020RLRAG Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 900 мВт Коэффициент усиления hFE: 70 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

2SA1416S-TD-E Транзистор биполярный PNP 100В 1A SOT89-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 100mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 120 МГц

Сообщить о поступлении