Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

На корпус (5)
Сквозной (713)
Поверхностный (1383)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

MMBT2369LT1G Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 15 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

MMBT2484 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

MMBT2484LT1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

MMBT2907 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23

Сообщить о поступлении

MMBT2907A Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

576 533 шт.

Цена от:

от 0,78₽

MMBT2907ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

576 533 шт

Цена от:

от 0,78₽

MMBT2907ALT3G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

576 533 шт

Цена от:

от 0,78₽

MMBT2907AWT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT3640 Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23

Сообщить о поступлении

MMBT3904 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

MMBT3904LT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

163 269 шт

Цена от:

от 0,40₽

MMBT3904LT3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

163 269 шт

Цена от:

от 0,40₽

MMBT3904T Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT523F

Сообщить о поступлении

Акция

MMBT3904TT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0,2 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MMBT3904WT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT3906 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

45 249 шт

Цена от:

от 0,40₽

MMBT3906LT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

45 249 шт

Цена от:

от 0,40₽

MMBT3906LT3G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

45 249 шт

Цена от:

от 0,40₽

MMBT3906TT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А, 0,2 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MMBT3906WT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц

Сообщить о поступлении