Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

MJW1302AG Биполярный транзистор, PNP, 230 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 230 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц

Сообщить о поступлении

MJW18020G Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 30 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 450 В Ток коллектора Макс.: 30 А Мощность Макс.: 250 Вт Коэффициент усиления hFE: 14 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 13 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MJW21191G Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 8.0 А, 125 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247

Сообщить о поступлении

Акция

MJW21193G Биполярный транзистор, PNP, 16A, 250V, 200 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

MJW21194G Биполярный транзистор, NPN, 250V, 16 А, 200 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

MJW21195G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

MJW21196G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

MJW3281AG Биполярный транзистор, NPN, 230 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 230 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT100 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT200 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT2222ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 181 шт

Цена от:

от 0,94₽

Акция

MMBT2222ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

51 960 шт

Цена от:

от 0,94₽

MMBT2222ALT3G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 181 шт

Цена от:

от 0,94₽

MMBT2222AM3T5G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 640 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MMBT2222ATT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.15 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT2222AWT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT2222AWT3G Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SC70-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT2222LT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.6 А, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц

Сообщить о поступлении

MMBT2369A Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

MMBT2369ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 0.2 А, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 15 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении