Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

MJF31CG Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220FP Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

MJF32CG Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

MJF44H11G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

MJF45H11G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А, 36Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220FP Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 40 МГц

Сообщить о поступлении

MJF6388G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 3000 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

MJH11017G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 150 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 400 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

MJH11019G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 200 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 200 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 400 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

MJH11020G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 200 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 200 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 400 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

MJH11021G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 250 В, 15 А, 150 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 400 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

MJH11022G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 250 В, 15 А, 150 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 400 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

MJH6284G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 20 А Мощность Макс.: 160 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

MJH6287G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 20 А, 160W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 20 А Мощность Макс.: 160 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

MJL1302AG Биполярный транзистор, PNP, 260 В, 15 А, 200 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO264 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 260 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 75 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц

Сообщить о поступлении

MJL21193G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 200 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MJL21194G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MJL21195G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 200 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

MJL21196G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

MJL3281AG Биполярный транзистор, NPN, 260 В, 15 А, 200W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 260 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 75 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц

Сообщить о поступлении

Новинка

MJL4281AG Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 15 А, 230 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 230 Вт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 35 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MJL4302AG Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 15 А, 230 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 230 Вт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 35 МГц

Сообщить о поступлении