Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

MJE371G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

MJE4343G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 125 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 1 МГц

Сообщить о поступлении

MJE5730G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 10 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MJE5731AG Биполярный транзистор, PNP, 375 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 375 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 10 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MJE5731G Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 10 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MJE5742G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 400 В, 8 А, 2 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

MJE5850G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 80 Вт Коэффициент усиления hFE: 5 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

MJE5852G Биполярный транзистор, PNP, 400 В, 8 А, 80 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 80 Вт Коэффициент усиления hFE: 5 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

MJE700G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

MJE703G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

MJE800G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

MJE802G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

MJE803G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

MJF122G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

MJF127G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

MJF15030G Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 8 А, 36W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220FP Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц

Сообщить о поступлении

MJF15031G Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 8 А, 36W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220FP Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц

Сообщить о поступлении

MJF18008G Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 450 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 45 Вт Коэффициент усиления hFE: 14 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 13 МГц

Сообщить о поступлении

MJF2955G Биполярный транзистор, PNP, 90 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 90 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2 МГц

Сообщить о поступлении

MJF3055G Биполярный транзистор, NPN, 90 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 90 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2 МГц

Сообщить о поступлении