Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1113)
MJE15032G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 8 А, 50 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
MJE15033G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 8 А, 50 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
MJE15034G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 4 А, 50 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 4 А
MJE15035G Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 4 А, 50 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц
MJE172G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 50 МГц
MJE18004G Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 450 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 75 Вт Коэффициент усиления hFE: 14 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 13 МГц
MJE18008G Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 450 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 125 Вт Коэффициент усиления hFE: 14 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 13 МГц
Акция MJE182G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 50 МГц
MJE200G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 15 Вт Коэффициент усиления hFE: 45 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 65 МГц
MJE200STU Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 15 Вт Коэффициент усиления hFE: 45 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 65 МГц
MJE210G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-126 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 15 Вт Коэффициент усиления hFE: 45 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 65 МГц
Акция MJE243G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 4 А, 15 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-126 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 40 МГц
Акция MJE253G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 4 А, 15 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-126 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 40 МГц
MJE270G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 15 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-126 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 15 Вт
MJE2955TG Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 75 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
460 шт
Цена от:
от 53,85
MJE2955TTU Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 600 мВт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
460 шт
Цена от:
от 53,85
MJE3055TG Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 75 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
973 шт
Цена от:
от 77,06
MJE340G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-32 (TO-126) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 20 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 360 шт
Цена от:
от 36,99
MJE340STU Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-126
MJE350G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 20W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 20 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 754 шт
Цена от:
от 45,74
На странице: