Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

Акция

MJD45H11G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 90 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

4 147 шт

Цена от:

от 25,15₽

MJD45H11RLG Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

4 147 шт

Цена от:

от 29,31₽

MJD45H11T4G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20Вт Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 90 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

4 147 шт

Цена от:

от 25,15₽

MJD45H11TF Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

4 147 шт.

Цена от:

от 25,15₽

MJD45H11TM Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

4 147 шт.

Цена от:

от 25,15₽

MJD47G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 10 МГц

Сообщить о поступлении

MJD47T4G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 10 МГц

Сообщить о поступлении

MJD47TF Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

MJD50G Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 10 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MJD50T4G Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А, 15 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 10 МГц

Сообщить о поступлении

MJD50TF Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 10 МГц

Сообщить о поступлении

MJD5731T4G Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 10 МГц

Сообщить о поступлении

MJD6039T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 500 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

MJE13001 Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 0.2 А, 0.75 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92

Сообщить о поступлении

MJE13007G Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А, 80 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 80 Вт Коэффициент усиления hFE: 5 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 14 МГц

Сообщить о поступлении

MJE13009G Транзистор биполярный NPN 400В 12А 100Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 354 шт

Цена от:

от 21,22₽

Акция

MJE15028G Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 8 А, 50W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 50 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц

Сообщить о поступлении

MJE15029G Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 8 А, 50W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 50 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MJE15030G Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 50 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц

Сообщить о поступлении

MJE15031G Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 8 А, 50Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 50 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц

Сообщить о поступлении