Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

MJD31T4G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

150 шт

Цена от:

от 14,15₽

MJD32CG Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 1.56 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

2 500 шт.

Цена от:

от 13,61₽

Акция

MJD32CRLG Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 500 шт

Цена от:

от 13,61₽

MJD32CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 1.56Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 500 шт

Цена от:

от 13,61₽

MJD32CTF Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

2 500 шт.

Цена от:

от 13,61₽

MJD340G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

6 329 шт

Цена от:

от 12,19₽

MJD340T4G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

6 329 шт

Цена от:

от 12,19₽

MJD340TF Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

6 329 шт

Цена от:

от 17,38₽

MJD350T4G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 15 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

30 шт

Цена от:

от 83,29₽

MJD350TF TRANS PNP 300V 0.5A DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

MJD41CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

MJD42CG Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

MJD42CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А, 20Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

MJD44E3T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

MJD44H11-1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251

Сообщить о поступлении

Акция

MJD44H11G Биполярный транзистор, NPN, 80B, 8 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 85 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

12 969 шт

Цена от:

от 19,53₽

MJD44H11RLG Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

12 969 шт

Цена от:

от 19,53₽

MJD44H11T4G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 85 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

12 969 шт

Цена от:

от 19,53₽

MJD44H11TM Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

12 969 шт.

Цена от:

от 19,95₽

MJD45H11-1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 90 МГц

Сообщить о поступлении