Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

MJ2955G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 115 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2.5 МГц

Сообщить о поступлении

MJ4502G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 30 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 30 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MJ802G Биполярный транзистор, NPN, 90 В, 30 А, 200W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 90 В Ток коллектора Макс.: 30 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2 МГц

Сообщить о поступлении

MJB41CG Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

MJB41CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А, 65Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

MJB42CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

MJB44H11G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А, 50 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

MJB44H11T4G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

MJB45H11G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 40 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MJB45H11T4G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 40 МГц

Сообщить о поступлении

MJD112-1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251

Сообщить о поступлении

MJD112G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

700 шт

Цена от:

от 18,09₽

MJD112RLG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

700 шт

Цена от:

от 21,88₽

MJD112T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

700 шт

Цена от:

от 18,09₽

MJD117G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 106 шт

Цена от:

от 45,05₽

Акция

MJD117T4G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 106 шт

Цена от:

от 38,08₽

MJD122G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 4 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 066 шт

Цена от:

от 33,04₽

MJD122T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 4 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 066 шт

Цена от:

от 44,31₽

MJD122TF Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 066 шт

Цена от:

от 33,04₽

MJD127G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 4 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 082 шт

Цена от:

от 68,44₽