Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

KST2907AMTF Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

573 533 шт.

Цена от:

от 0,78₽

KST42MTF Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

KST43MTF Биполярный транзистор, NPN, 200 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

MBT35200MT1G Биполярный транзистор, PNP, 35 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 35 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

MJ11015G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 30 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MJ11016G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 30 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

MJ11032G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 50 А Мощность Макс.: 300 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

MJ11033G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 120 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 50 А Мощность Макс.: 300 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

MJ15003G Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 20 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 140 В Ток коллектора Макс.: 20 А Мощность Макс.: 250 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

40 шт

Цена от:

от 579,89₽

MJ15004G Биполярный транзистор, PNP, 140 В, 20 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 140 В Ток коллектора Макс.: 20 А Мощность Макс.: 250 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2 МГц

Сообщить о поступлении

MJ15015G Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 15 А, 180W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 180 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 6 МГц

Сообщить о поступлении

MJ15016G Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 115 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 18 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

MJ15022G Биполярный транзистор, NPN, 200 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 200 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 250 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

MJ15023G Биполярный транзистор, PNP, 200 В, 16 А, 250Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 200 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 250 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

MJ15024G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 250 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

MJ15025G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 250 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

MJ21193G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 250 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

MJ21194G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 250 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

MJ21195G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 250 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

MJ21196G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 250 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении