Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

Акция

2N5401G Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Сообщить о поступлении

2N5401YBU Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 0.6 А Мощность Макс.: 625 мВт Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

Акция

2N5551-Y Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0.6 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 625 мВт Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

Акция

2N5551-YBU Транзистор биполярный NPN 160В 0.6А 625мВт 3-Pin TO-92 россыпь Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92-3 Тип транзистора: NPN

Сообщить о поступлении

Акция 2N5551-YBU Биполярный транзистор Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92

Сообщить о поступлении

2N5551BU Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

2N5551G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

2N5551TA Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0,625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

2N5657G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 20 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 10 МГц

Сообщить о поступлении

2N5684G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 50 А Мощность Макс.: 300 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2 МГц

Сообщить о поступлении

2N5883G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 25 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 25 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

2N5884G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 25 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 25 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

2N5885G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 25 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 25 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

2N5886G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 25 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 25 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

2N6035G Транзистор биполярный PNP Дарлингтона 60В 4A TO-225AA Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP - Darlington Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 @ 2A, 3V Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6036G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6038G Транзистор биполярный NPN Дарлингтона 60В 4A TO225AA Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN - Darlington Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 @ 2A, 3V Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

Акция

2N6039G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А, 40W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6040G Транзистор биполярный PNP Дарлингтона 60В 8A TO220AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP - Darlington Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 @ 4A, 4V Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N6043G Транзистор биполярный NPN Дарлингтона 60В 8A TO220AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN - Darlington Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 @ 4A, 4V Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении