Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1113)
KSH200TF Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3
KSH31CTF Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
KSH50TF Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.56 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 10 МГц
KSP13BU Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 125 МГц
KSP13TA Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 125 МГц
KSP2222ABU Биполярный транзистор, NPN, 75 В, 0.8 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц
Акция KSP2222ATA Биполярный транзистор, NPN, 75 В, 0.8 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead
KSP2907ABU TRANS PNP 60V 0.6A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 МГц
KSP2907ATA Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, 0.625Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 МГц
KSP42BU Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 50 МГц
KSP42TA Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 0.5 А Мощность Макс.: 0.625 Вт
KSP44BU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 0.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Сквозной
KSP44TA Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 0.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Сквозной
KSP44TF Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 0.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Сквозной
Акция KSP92 Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 0.5 А Мощность Макс.: 625 мВт
KSP92BU Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 50 МГц
KSP92TA Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 0.5 А Мощность Макс.: 0.625 Вт
KSP94BU Биполярный транзистор, PNP, 400 В, 0.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Сквозной
KSP94TA Биполярный транзистор, PNP, 400 В, 0.3 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Сквозной
KST13MTF Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
На странице: