Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1113)
KSC5402DTF Биполярный транзистор, NPN, 525 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 525 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 30 Вт Коэффициент усиления hFE: 6 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 11 МГц
KSC5502DTM Биполярный транзистор, NPN, 600 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 600 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 50 Вт Коэффициент усиления hFE: 4 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 11 МГц
KSC5502TU Биполярный транзистор, NPN, 600 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 600 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 50 Вт Коэффициент усиления hFE: 12 Тип монтажа: Сквозной
KSC5603DTU Транзистор биполярный NPN 800В 3A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 800 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 100 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 @ 400mA, 3V Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 5 МГц
Акция KSC5803 Биполярный транзистор, NPN, 1500 В, 12 А, 70 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 500 В Ток коллектора Макс.: 12 А Мощность Макс.: 70 Вт
KSD1273Q Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3 А, 40 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 40 Вт
KSD1616AGBU Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 750 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 160 МГц
KSD1616AGTA Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 750 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 160 МГц
KSD1691GS Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной
KSD1691YS Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 5 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-126 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Сквозной
KSD2012GTU Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 25 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
KSD5041QTA Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 750 мВт Коэффициент усиления hFE: 230 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 150 МГц
KSD5041RTA Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 750 мВт Коэффициент усиления hFE: 340 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 150 МГц
KSE13003H1ASTU Биполярный транзистор, NPN, 700 В, 1.5 А, 40 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-126F Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 700 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 40 Вт
Акция KSE340STU Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-126F Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 20 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной
KSE350STU Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-126 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 20 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной
KSE44H11 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 1.67 Вт Коэффициент усиления hFE: 60 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 50 МГц
KSE44H11TU Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 1.67 Вт Коэффициент усиления hFE: 60 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 50 МГц
KSH122TF Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D-Pak (TO-252AA)
KSH127TF Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 1.75 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Поверхностный
На странице: