Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1113)
FSB560A Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 75 МГц
FSB660A Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 75 МГц
FZT3019 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223-4
FZT649 Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
FZT790A Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Акция KSA1013 Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92MOD Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 1 А
KSA1013YBU Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92MOD Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 900 мВт Коэффициент усиления hFE: 60 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 50 МГц
KSA1015YTA Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 400 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 80 МГц
Акция KSA1142 Биполярный транзистор, PNP, 180 В, 0.1 А, 1.2 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 180 В Мощность Макс.: 1.2 Вт
Акция KSA1142OSTU Биполярный транзистор, PNP, 180 В, 100 мА, 8 Вт, (Комплементарная пара KSC2682) Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 180 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 8 Вт
KSA1298YMTF Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 120 МГц
KSA1381ESTU Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 7 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 150 МГц
KSA928A Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 2 А, 0.75 Вт, (Комплементарная пара KSC2328А) Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92MOD Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 0.75 Вт
KSA931 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.7 А, 1 Вт, (Комплементарная пара KSC2331) Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92MOD/formed Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 0.7 А Мощность Макс.: 1 Вт
KSA940TU Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 1.5 А, 25 Вт (Комплементарная пара KSC2073) Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 25 Вт
KSA992FTA Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 0.05 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц
KSB1151YSTU Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Сквозной
KSB772YSTU Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 80 МГц
KSC1623YMTF Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 135 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц
KSC1815YTA Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 400 мВт Коэффициент усиления hFE: 70 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 80 МГц
На странице: