Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1113)
FJD5553TM Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
FJL4215OTU Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 17 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264
FJL4315OTU Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 17 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264
FJL6920TU Биполярный транзистор, NPN, 1700 В, 20 А, 200 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 700 В Ток коллектора Макс.: 20 А Мощность Макс.: 200 Вт
FJN3303FTA TRANS NPN 400V 1.5A TO92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92
FJP13007H1TU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А, 80 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 80 Вт
FJP13007H2TU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А, 80 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 80 Вт
FJP13009TU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 12 А, 100Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 354 шт
Цена от:
от 21,22
FJP1943RTU Биполярный транзистор, PNP, 230 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
FJP3305H1TU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 4 А, 75 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 75 Вт Коэффициент усиления hFE: 8 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц
FJPF13007H2TU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 26 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц
FJT44TF Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 0.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223
FJV1845FMTF Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 0.05 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
FJV1845PMTF Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 0.05 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23
FJV992FMTF Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 0.05 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц
FJX2907ATF Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323
FMB100 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 700 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
FMB200 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6
FMMT449 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-SSOT
FSB560 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 75 МГц
На странице: