Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

Акция

BSR16 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.8 А, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 917 шт

Цена от:

от 8,61₽

BSR17A Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Сообщить о поступлении

BSR18A Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BSS63LT1G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 95 МГц

Сообщить о поступлении

BSS64LT1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 60 МГц

Сообщить о поступлении

BSV52 Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

BSV52LT1G Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 400 МГц

Сообщить о поступлении

BU323ZG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 350 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 500 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BU406G Биполярный транзистор, NPN, 200 В, 7 А, 60Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 200 В Ток коллектора Макс.: 7 А Мощность Макс.: 60 Вт Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 10 МГц

Сообщить о поступлении

BU406TU Биполярный транзистор, NPN, 200 В, 7 А, 60Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 200 В Ток коллектора Макс.: 7 А Мощность Макс.: 60 Вт Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 10 МГц

Сообщить о поступлении

Новинка

BU407 Транзистор биполярный NPN 150В 7А TO-220 Производитель: ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

Акция

BU407 Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220

Сообщить о поступлении

BUB323ZG Транзистор биполярный NPN Дарлингтона 350В 10A D2PAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Тип транзистора: NPN - Darlington Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 500 @ 5A, 4.6V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 2 МГц

Сообщить о поступлении

BUB323ZT4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 350 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 500 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 2 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BUL45D2G Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 75 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 13 МГц

Сообщить о поступлении

BUT11A Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 5 А, 100 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 053 шт

Цена от:

от 29,96₽

Акция

BUT11A Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 5 А, 100 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 053 шт

Цена от:

от 29,96₽

BUT11AFTU Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 5 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F

Сообщить о поступлении

BUT11ATU Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 5 А, 100 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 053 шт

Цена от:

от 29,96₽

BUV21G Биполярный транзистор, NPN, 200 В, 40 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3

Сообщить о поступлении