Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

BDX33C Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

1 118 шт.

Цена от:

от 50,84₽

BDX33CG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 70 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 118 шт

Цена от:

от 53,22₽

BDX34BG Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 70 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

699 шт

Цена от:

от 45,42₽

BDX34C Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

699 шт.

Цена от:

от 34,96₽

BDX34CG Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 70 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

699 шт

Цена от:

от 34,96₽

BDX53BG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 65 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

3 250 шт

Цена от:

от 40,03₽

BDX53CG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 65 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

3 250 шт

Цена от:

от 53,61₽

BDX53CTU Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

3 250 шт.

Цена от:

от 40,03₽

BDX54BG Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 65 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 489 шт

Цена от:

от 18,84₽

BDX54C Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

2 489 шт.

Цена от:

от 18,84₽

BDX54CG Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 8 А Мощность Макс.: 65 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 489 шт

Цена от:

от 18,84₽

BDX54CTU Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

2 489 шт.

Цена от:

от 18,84₽

BF720T1G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.1 А, 1.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 60 МГц

Сообщить о поступлении

BF721T1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.05 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 60 МГц

Сообщить о поступлении

BSP16T1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 1.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 15 МГц

Сообщить о поступлении

BSP50 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 45 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

388 шт

Цена от:

от 24,55₽

BSP52 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

2 905 шт.

Цена от:

от 9,27₽

BSP52T1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.25 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 800 мВт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 905 шт

Цена от:

от 9,27₽

Акция

BSR14 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.8 А, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 091 шт

Цена от:

от 5,96₽

Акция

BSR15 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, 0.35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении