Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

BD680G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 992 шт

Цена от:

от 11,71₽

BD681G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

13 073 шт

Цена от:

от 12,67₽

BD681S Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

13 073 шт.

Цена от:

от 12,67₽

BD681STU Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

13 073 шт

Цена от:

от 12,67₽

BD682G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 450 шт

Цена от:

от 35,34₽

BD682S Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

1 450 шт.

Цена от:

от 19,27₽

BD787G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 15 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

BD788G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 15 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

BD809G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 90 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 1.5 МГц

Сообщить о поступлении

BD810G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 90 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 1.5 МГц

Сообщить о поступлении

BDV64BG Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 10 А, 125W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 125 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

Акция

BDV65BG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 10 А, 125 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 125 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

BDW42G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 85 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

BDW46G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 85 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

BDW47G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 85 Вт Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 4 МГц

Сообщить о поступлении

BDW93C Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220

Сообщить о поступлении

BDW93CTU TRANS NPN DARL 100V 12A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220

Сообщить о поступлении

BDW94C Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 12 А Мощность Макс.: 80 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

BDW94CFTU Транзистор биполярный PNP Дарлингтона 100В 12A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP - Darlington Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 12 А Мощность Макс.: 80 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 @ 5A, 3V Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

BDX33BG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 70 Вт Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 118 шт

Цена от:

от 50,84₽