Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

Акция

2N4403BU Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А, 0.63 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

9 456 шт

Цена от:

от 1,21₽

2N4403G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

9 456 шт

Цена от:

от 1,21₽

2N4403TA Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

9 456 шт

Цена от:

от 1,21₽

2N4403TF Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

9 456 шт.

Цена от:

от 1,21₽

2N4919G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 30 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

2N4920G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 30 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

2N4921G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 30 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

2N4922G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 30 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

2N4923G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 30 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц

Сообщить о поступлении

2N5038G Биполярный транзистор, NPN, 90 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 90 В Ток коллектора Макс.: 20 А Мощность Макс.: 140 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N5088G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.05 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 50 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

2N5088RLRAG Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.05 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead

Сообщить о поступлении

2N5190G Транзистор биполярный NPN 40В 4A TO-225AA Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 @ 1.5A, 2V Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2 МГц

Сообщить о поступлении

2N5191G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2 МГц

Сообщить о поступлении

2N5192G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2 МГц

Сообщить о поступлении

2N5194G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 4 А, 40Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2 МГц

Сообщить о поступлении

2N5195G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2 МГц

Сообщить о поступлении

2N5210BU Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц

Сообщить о поступлении

2N5210TFR TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 30 МГц

Сообщить о поступлении

2N5302G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 30 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 30 А Мощность Макс.: 200 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2 МГц

Сообщить о поступлении