Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1113)
BD242BG Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
BD242CG Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 40 Вт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
BD243BTU Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 65 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной
Акция BD243C Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А, 65 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB
BD243CG Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А, 65W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Isolated Tab Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 65 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
BD244A TRANS PNP 60V 6A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 65 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной
BD244BG Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 65 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
BD244BTU Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 65 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной
BD244CG Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А, 65Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 65 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
Акция BD244CTU Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А, 65 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 65 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной
Акция BD436 Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 4 А, 36 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-126 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 36 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
BD436STU Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 36 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
BD437G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 36 Вт Коэффициент усиления hFE: 85 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 368 шт
Цена от:
от 35,42
BD437S TRANS NPN 45V 4A TO-126 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 36 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
BD438S Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-126 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 36 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 460 шт
Цена от:
от 23,60
BD438STU Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-126 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 36 Вт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 460 шт
Цена от:
от 23,60
BD439G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 36 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
BD439S Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-126 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 36 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
BD440S Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-126 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 36 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
Акция BD441G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 4 А, 36Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-126 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 36 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 3 МГц
На странице: