Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

BC847CMTF Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

343 971 шт.

Цена от:

от 0,62₽

Акция

BC847CWT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.15Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

196 044 шт

Цена от:

от 0,92₽

BC847CWT3G Биполярный транзистор NPN 45В 0.1A SOT-323 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 @ 2mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

196 044 шт

Цена от:

от 0,92₽

BC848ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 110 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BC848BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.225W Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

129 541 шт

Цена от:

от 0,35₽

BC848BLT3G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

129 541 шт

Цена от:

от 0,35₽

BC848BMTF Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

129 541 шт.

Цена от:

от 0,35₽

BC848BWT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

BC848CLT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

943 шт

Цена от:

от 0,92₽

BC848CWT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BC849BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.25 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 038 шт

Цена от:

от 1,16₽

Акция

BC849CLT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

6 093 шт

Цена от:

от 1,67₽

Акция

BC850BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.3 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

BC850CLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.25 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 225 мВт Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

54 626 шт

Цена от:

от 1,79₽

BC856ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 125 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

302 шт

Цена от:

от 1,51₽

BC856BLT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

83 187 шт

Цена от:

от 0,54₽

BC856BLT3G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

83 187 шт

Цена от:

от 0,54₽

BC856BM3T5G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723

Сообщить о поступлении

BC856BMTF Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 310 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BC856BWT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.15Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65 В

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

452 129 шт

Цена от:

от 0,99₽