Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1113)
BC807-25LT3G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
158 261 шт
Цена от:
от 0,87
Акция BC807-25WT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.46 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 460 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
144 шт
Цена от:
от 1,12
Акция BC807-40LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
72 595 шт
Цена от:
от 0,90
Акция BC807-40LT3G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
72 595 шт
Цена от:
от 0,90
BC807-40WT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 460 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
79 162 шт
Цена от:
от 1,11
BC80716MTF Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 310 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC80725MTF Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 310 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC80740MTF Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 310 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC808-25LT1G Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC80840MTF Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 310 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC817-16LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.3 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 059 489 шт
Цена от:
от 0,67
BC817-16LT3G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 059 489 шт
Цена от:
от 0,67
BC817-25LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
199 458 шт
Цена от:
от 0,74
BC817-25LT3G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
199 458 шт
Цена от:
от 0,74
BC817-40LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.225W Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 124 900 шт
Цена от:
от 0,75
Акция BC817-40LT3G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 124 900 шт
Цена от:
от 0,75
BC817-40WT1G Биполярный транзистор NPN 45В 0.5A автомобильного применения 3-Pin SC-70 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 0.5 А Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
4 240 шт
Цена от:
от 1,72
BC81716MTF Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 310 мВт Коэффициент усиления hFE: 110 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC81725MTF Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 310 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BC81740MTF Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 800 мА Мощность Макс.: 310 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
На странице: