Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1113)

BC557BTA Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

BC557BTF Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

BC557BZL1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 320 МГц

Сообщить о поступлении

BC557CG Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Сообщить о поступлении

BC558BTA Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

BC559BTA Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

BC559CTA Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead

Сообщить о поступлении

Акция

BC560CG Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 380 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 250 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BC560CTA Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead

Сообщить о поступлении

Акция

BC635 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 1 А, 15Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

BC636TA Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BC637G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

BC638TA Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BC639-16ZL1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1.0 А, 0.8 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead

Сообщить о поступлении

Акция

BC63916-D27Z Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 1Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

BC63916_D74Z Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BC640TA Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.0 А, 0.8 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BC807-16LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.3 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

563 349 шт

Цена от:

от 1,07₽

BC807-16LT3G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

563 349 шт

Цена от:

от 1,07₽

Акция

BC807-25LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 160 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

158 261 шт

Цена от:

от 0,87₽