Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1112)
2N3055AG Биполярный транзистор NPN 60В 15А 115Вт Кус 20-70 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 115 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 6 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 351 шт
Цена от:
от 80,05
2N3055G Биполярный транзистор NPN 60В 15А 115Вт Кус 20-70 2,5МГц Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 115 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2.5 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 351 шт
Цена от:
от 80,05
2N3442G Биполярный транзистор NPN 140В 10А 117Вт Кус 20-70 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 140 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 117 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 80 кГц
2N3771G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 30 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 30 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 кГц
2N3772G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 20 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 кГц
Акция 2N3773G Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 140 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной
2N3904BU Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 МГц
2N3904TA Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.625Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3
2N3904TAR Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.625Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА
2N3904TAR Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3
2N3904TF TRANS NPN 40V 0.2A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3
2N3904TFR TRANS NPN 40V 0.2A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3
2N3906BU Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 250 МГц
2N3906TA Биполярный транзистор PNP 40В 0.2A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 250 МГц
2N3906TAR Транзистор биполярный PNP 40В 0.2A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 10mA, 1V Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 250 МГц
2N3906TFR Биполярный транзистор PNP 40В 0.2A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 250 МГц
2N4401BU Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 250 МГц
2N4401TA Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.63 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 250 МГц
2N4401TFR Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3
2N4403BU Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
9 476 шт
Цена от:
от 2,83
На странице: