Одиночные биполярные транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (571)
PMBT6429,215 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 500 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 700 МГц
PMBTA06,235 Биполярный транзистор NPN 80В 0.5A SOT23 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
11 566 шт
Цена от:
от 2,42
PMBTA42,185 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 100 мА, 0.25 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц
PMBTA42,235 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 100 мА, 0.25 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
75 856 шт
Цена от:
от 2,23
PMBTA45,215 Биполярный транзистор, NPN, 500 В, 0.15 А, 0.25Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 500 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 300 мВт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 35 МГц
PMBTA56,235 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3
PMBTA64,215 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 20000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
PMBTA92,235 Биполярный транзистор PNP 300В 0.1A SOT23 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 936 шт
Цена от:
от 3,58
PMMT491A,215 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
PMMT491A,235 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3
PMMT591A,235 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
90 шт
Цена от:
от 23,02
PMST2222A,115 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
PMST2369,115 Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 0.2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 15 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 500 МГц
PMST2907A,115 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
PMST4401,115 TRANS NPN 40V 0.6A SOT323 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 0.6 А
PMST4403,115 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
PMST5551,115 TRANS NPN 160V 0.3A SOT323 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
PMSTA06,115 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
PMSTA42,115 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц
PMSTA56,115 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц
На странице: