Одиночные биполярные транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (571)
PHPT60415PYX Биполярный транзистор PNP 40В 15A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56
PHPT60603PYX TRANS PNP 60V 3A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.25 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 @ 500mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PHPT61003PYX Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.25 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
PMBT2222,215 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц
PMBT2222A,235 Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SOT23 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 150mA, 10V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
14 447 шт
Цена от:
от 1,37
PMBT2369,215 Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 0.2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 15 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 500 МГц
PMBT2369,235 Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 0.2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 15 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 500 МГц
PMBT2907,215 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
PMBT2907A,235 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
125 746 шт
Цена от:
от 0,79
PMBT3904,235 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 313 шт
Цена от:
от 1,03
PMBT3904M,315 Биполярный транзистор NPN 40В 0.2A SOT883 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 590 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
PMBT3904MB,315 TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
PMBT3906,235 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 142 шт
Цена от:
от 1,13
PMBT3906VS,115 TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT666 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА
PMBT3946VPN,115 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT666 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА
PMBT4401,215 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц
PMBT4401,235 Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SOT23 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц
PMBT5550,235 Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 0.3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 140 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 60 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 001 шт
Цена от:
от 5,90
PMBT5551,235 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
29 144 шт
Цена от:
от 2,35
PMBT6428,215 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 700 МГц
На странице: