Одиночные биполярные транзисторы NEXPERIA

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (571)

PBSS4480X,135 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.6 Вт Коэффициент усиления hFE: 175 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

PBSS4520X,135 Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 1.6 Вт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

PBSS4560PA,115 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: HUSON3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 210 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

PBSS4580PA,115 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 5.6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: HUSON3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 5.6 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 155 МГц

Сообщить о поступлении

PBSS4630PA,115 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: HUSON3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 6 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 260 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 115 МГц

Сообщить о поступлении

PBSS5120T,215 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 480 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

PBSS5130T,215 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 480 мВт Коэффициент усиления hFE: 260 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

PBSS5140U,115 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

PBSS5160DS,115 Биполярный транзистор PNP/PNP, 60 В, 0.77 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 0.77 А

Сообщить о поступлении

PBSS5160PAP,115 TRANS 2PNP 60V 1A 6HUSON Производитель: NEXPERIA Корпус: uDFN6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А

Сообщить о поступлении

PBSS5220PAPSX Транзистор общего применения биполярный PNP 20В 2A 6-Pin DFN-D EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 2 А Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

PBSS5220T,215 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 480 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

PBSS5230T,215 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 480 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

PBSS5240T,215 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 480 мВт Коэффициент усиления hFE: 210 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

PBSS5240XX TRANS PNP 40V 2A SOT89 Производитель: NEXPERIA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 2 А

Сообщить о поступлении

PBSS5240Y,115 TRANS PNP 40V 2A 6TSSOP, 0.43Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: 6-TSSOP Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 430 мВт Коэффициент усиления hFE: 210 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

PBSS5250T,215 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 480 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

PBSS5250X,115 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

PBSS5260QAZ TRANS PNP 60V 1.7A DFN1010D-3 Производитель: NEXPERIA Корпус: 3-DFN (1.1x1) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1.7 А Мощность Макс.: 325 мВт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

PBSS5320D,115 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 750 мВт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении