Одиночные биполярные транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (571)
PBSS4140U,115 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А, 0.25 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323
PBSS4160T,215 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 400 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 220 МГц
PBSS4160U,115 TRANS NPN 60V 0.75A SOT323 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 750 мА Мощность Макс.: 415 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 220 МГц
PBSS4160V,115 TRANS NPN 60V 0.9A SOT666 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 900 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 220 МГц
PBSS4230T,215 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 480 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 230 МГц
PBSS4240T,215 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 480 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 230 МГц
PBSS4240V,115 TRANS NPN 40V 2A SOT666 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 900 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
PBSS4240XF TRANS NPN 40V 2A SOT89 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 2 А
PBSS4240Y,115 TRANS NPN 40V 2A 6TSSOP Производитель: NEXPERIA Корпус: 6-TSSOP Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 430 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 230 МГц
PBSS4250X,115 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
PBSS4250X,135 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
PBSS4320T,215 Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 540 мВт Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
PBSS4320X,135 Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.6 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
PBSS4330X,115 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.6 Вт Коэффициент усиления hFE: 270 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
PBSS4350D,115 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 750 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
PBSS4350D,125 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 750 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
PBSS4350D,135 TRANS NPN 50V 3A 6TSOP Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 750 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
PBSS4350TVL PBSS4350T SOT23 TO-236AB Производитель: NEXPERIA
PBSS4350X,115 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 3 А, 0.55W Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 1.6 Вт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 959 шт
Цена от:
от 9,56
PBSS4440D,115 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
На странице: