Одиночные биполярные транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (571)
PBSS305PZ,135 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4.5 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
PBSS306NZ,135 Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 5.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 5.1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PBSS306PX,115 Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3.7 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 3.7 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
PBSS306PZ,135 Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 4.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 4.1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
PBSS3515M,315 Биполярный транзистор, PNP, 15 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 15 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 430 мВт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 280 МГц
PBSS3540M,315 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 430 мВт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
PBSS4021NT,215 Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 4.3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 4.3 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 165 МГц
PBSS4021NX,115 Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 7 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 7 А Мощность Макс.: 2.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 115 МГц
PBSS4021PT,215 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 3.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 3.5 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 140 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 155 МГц
PBSS4032NT,215 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2.6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 2.6 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 180 МГц
PBSS4032NZ,115 TRANS NPN 30V 4.9A SOT223 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 4.9 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 145 МГц
PBSS4032PT,215 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 2.4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 2.4 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 160 МГц
PBSS4032PX,115 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 4.2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 4.2 А Мощность Макс.: 2.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 115 МГц
PBSS4032PZ,115 TRANS PNP 30V 4.4A SOT223 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 4.4 А
PBSS4041NT,215 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3.8 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 3.8 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 175 МГц
PBSS4041NX,115 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6.2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 6.2 А Мощность Макс.: 2.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 130 МГц
PBSS4041PT,215 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2.7 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 2.7 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
PBSS4041PX,115 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 5 А, 0.6Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 5 А Мощность Макс.: 2.5 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PBSS4041PZ,115 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 5.7 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 5.7 А Мощность Макс.: 2.6 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PBSS4130T,215 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 480 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
На странице: