Одиночные биполярные транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (571)
PBSS2540M,315 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 430 мВт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 450 МГц
PBSS301ND,115 Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
PBSS301NZ,135 TRANS NPN 12V 5.8A SOT-223 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 5.8 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 140 МГц
PBSS301PD,115 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 80 МГц
PBSS301PX,115 Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 5.3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 5.3 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 140 МГц
PBSS302ND,115 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
PBSS302NX,115 Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 5.3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 5.3 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 140 МГц
PBSS302NZ,135 Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 5.8 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 5.8 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 140 МГц
PBSS302PD,115 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 175 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PBSS302PX,115 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 5.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 5.1 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 130 МГц
PBSS303ND,115 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 345 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 140 МГц
PBSS304ND,115 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 240 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 140 МГц
PBSS304NX,115 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 4.7 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4.7 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 130 МГц
PBSS304NZ,135 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 5.2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 5.2 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 130 МГц
PBSS304PX,115 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 4.2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4.2 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 130 МГц
PBSS304PZ,135 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 4.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 4.5 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 130 МГц
PBSS305NX,115 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 4.6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4.6 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PBSS305NZ,135 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 5.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 5.1 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PBSS305PD,115 Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 145 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц
PBSS305PX,115 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 4 А Мощность Макс.: 2.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
На странице: