Одиночные биполярные транзисторы NEXPERIA

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (571)

BSS63,215 Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 85 МГц

Сообщить о поступлении

BSS64,215 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

BST50,115 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 45 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

BST51,115 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

BST51,135 TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3

Сообщить о поступлении

BST60,115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 45 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

BST61,115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц

Сообщить о поступлении

BSV52,215 Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 500 МГц

Сообщить о поступлении

MMBTA92,215 Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

394 604 шт

Цена от:

от 1,17₽

PBHV8115T,215 Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 1 А

Сообщить о поступлении

PBHV8140Z,115 TRANS NPN 400V 1A SOT223 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.45 Вт Коэффициент усиления hFE: 35 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 25 МГц

Сообщить о поступлении

PBHV8215Z,115 Биполярный транзистор NPN 150В 2A SOT223 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 1.45 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 33 МГц

Сообщить о поступлении

PBHV9040T,215 Биполярный транзистор, PNP, 400 В, 0.25 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 250 мА

Сообщить о поступлении

PBHV9050T,215 Биполярный транзистор, PNP, 500 В, 0.15 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 500 В Ток коллектора Макс.: 150 мА

Сообщить о поступлении

PBHV9050Z,115 Биполярный транзистор, PNP, 500 В, 0.25 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 500 В Ток коллектора Макс.: 250 мА

Сообщить о поступлении

PBHV9115X,115 Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 1 А

Сообщить о поступлении

PBHV9115Z,115 Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 1 А

Сообщить о поступлении

PBHV9540Z,115 TRANS PNP 400V 0.5A SOT223 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 500 В Ток коллектора Макс.: 500 мА

Сообщить о поступлении

PBSS2515M,315 Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 15 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 430 мВт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 420 МГц

Сообщить о поступлении

PBSS2515VS,115 TRANS 2NPN 15V 0.5A SOT666 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: NPN Ток коллектора Макс.: 500 мА

Сообщить о поступлении