Одиночные биполярные транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (571)
BF722,115 Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 1.2 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 60 МГц
BF723,115 Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 1.2 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 60 МГц
BF820,235 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.05 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3
BF821,235 Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.05 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3
BF824W,135 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.025 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 25 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 400 МГц
BF840,235 TRANS NPN 40V 0.025A SOT23 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3
BFS20,235 Биполярный транзистор NPN, 20 В, 0.025 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3
BFS20W,115 Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 0.025 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 25 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 470 МГц
BSP19,115 Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 1.2 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 70 МГц
BSP31,115 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BSP32,115 Транзистор биполярный PNP 80В 1A SOT223 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 40 @ 100mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BSP33,115 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BSP41,115 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BSP43,115 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BSP50,115 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 45 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.25 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
388 шт
Цена от:
от 23,60
BSP60,115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 45 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.25 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
456 шт
Цена от:
от 43,46
BSP61,115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.25 Вт Коэффициент усиления hFE: 2000 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
BSR31,115 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.35 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BSR33,115 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.35 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Акция BSR52,126 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: TO92/formed lead Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А
На странице: