Одиночные биполярные транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (571)
BCV62,215 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 100 мА Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT143-4 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Тип монтажа: Поверхностный
BCV62B,235 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 100 мА Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-143B Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 823 шт
Цена от:
от 5,71
BCV71,215 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.1 А, 0.25 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 110 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BCW29,215 Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BCW30,215 Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 215 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BCW32,215 Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BCW32,235 Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BCW60B,215 Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц
BCW60D,235 Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 380 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
12 494 шт
Цена от:
от 2,58
BCW61B,215 Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BCW61C,235 TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
1 103 шт.
Цена от:
от 1,43
BCW61D,215 Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 32 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 380 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
BCW72,235 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
15 197 шт
Цена от:
от 3,14
BCW89,215 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
BCX17,235 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 80 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
9 312 шт
Цена от:
от 1,46
BCX18,215 Биполярный транзистор, PNP, 25 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 25 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 80 МГц
BCX19,235 Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 088 шт
Цена от:
от 3,81
BCX51-10,115 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 63 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 145 МГц
BCX51-16,135 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.3 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 145 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
15 329 шт
Цена от:
от 9,12
BCX52,115 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А, 1.35 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 63 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 145 МГц
На странице: