Одиночные биполярные транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (571)
2PC4081Q,115 TRANS NPN 50V 0.15A SOT323 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
2PC4081S,115 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.15 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 270 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
2PC4617QM,315 TRANS NPN 50V 0.1A SC101 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 430 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
2PC4617R,115 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.15 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
2PD1820AR,115 TRANS NPN 50V 0.5A SOT323 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
2PD1820AS,115 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 170 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
2PD601ART,215 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 210 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
2PD601ART,235 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 210 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
2PD601ASL,215 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 290 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
2PD601BRL,215 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 0.2 А
2PD602ASL,215 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 0.5 А
BC51-16PA,115 TRANS PNP 45V 1A SOT1061 Производитель: NEXPERIA Корпус: DFN3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 420 мВт Коэффициент усиления hFE: 63 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 145 МГц
BC51PA,115 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: DFN3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 420 мВт Коэффициент усиления hFE: 63 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 145 МГц
BC53-10PA,115 TRANS PNP 80V 1A SOT1061 Производитель: NEXPERIA Корпус: DFN3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 420 мВт Коэффициент усиления hFE: 63 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 145 МГц
BC53-16PA,115 TRANS PNP 80V 1A SOT1061 Производитель: NEXPERIA Корпус: DFN3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 420 мВт Коэффициент усиления hFE: 63 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 145 МГц
BC53PA,115 TRANS PNP 80V 1A SOT1061 Производитель: NEXPERIA Корпус: DFN3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 420 мВт Коэффициент усиления hFE: 63 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 145 МГц
BC54-16PA,115 TRANS NPN 45V 1A SOT1061 Производитель: NEXPERIA Корпус: DFN3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 420 мВт Коэффициент усиления hFE: 63 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 180 МГц
BC54PA,115 TRANS NPN 45V 1A SOT1061 Производитель: NEXPERIA Корпус: DFN3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 420 мВт Коэффициент усиления hFE: 63 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 180 МГц
BC55-10PA,115 Производитель: NEXPERIA
BC55-16PA,115 Транзистор общего применения биполярный NPN 60В 1A 1650мВт 3-Pin HUSON лента на катушке Производитель: NEXPERIA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 1.65 Вт
На странице: