Одиночные биполярные транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (571)
PMBT5550,215 Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 0.3 А, 0.25W Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 140 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 60 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Наличие:
3 001 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 5,90
PMBT5551,215 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Наличие:
4 893 шт

Под заказ:
24 251 шт
Цена от:
от 2,33
Акция PMBTA06,215 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, 0.25 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
Наличие:
11 566 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2,40
PMBTA42,215 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 100 мА, 0.25 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц
Наличие:
3 052 шт

Под заказ:
72 804 шт
Цена от:
от 2,21
PMBTA44,215 Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 0.3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 20 МГц
Наличие:
3 426 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 12,07
PMBTA56,215 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А, 0.25Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц
Наличие:
14 714 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 3,09
PMBTA92,215 Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 100 мА, 0.25 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц
Наличие:
1 936 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 3,58
PMMT591A,215 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
Наличие:
0 шт

Под заказ:
90 шт
Цена от:
от 22,81
PMST3904,115 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Наличие:
7 366 шт

Под заказ:
300 шт
Цена от:
от 2,53
PMST3906,115 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT323 (SC-70) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 250 МГц
Наличие:
3 450 шт

Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 2,66
PXT2907A,115 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 1.1 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
Наличие:
1 961 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 22,69
PZT2222A,115 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 1.15 Вт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 300 МГц
Наличие:
2 004 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 11,04
PZTA44,115 Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 0.3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 1.35 Вт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 20 МГц
Наличие:
14 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 15,54
2PA1576S,115 TRANS PNP 50V 0.15A SOT323 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 200 мВт Коэффициент усиления hFE: 270 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
2PA1774Q,115 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.15 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-75 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
2PA1774QM,315 Биполярный транзистор PNP 40В 0.1A SC101 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 430 мВт Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
2PA1774S,115 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.15 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-75 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE: 270 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
2PB1424,115 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 125 МГц
2PB709ART,215 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА
2PB709BRL,215 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE: 210 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 200 МГц
На странице: