Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Сквозной (713)
Поверхностный (1383)
На корпус (5)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (316)

FMMT560TA Биполярный транзистор, PNP, 500 В, 0.15 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 500 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 60 МГц

Сообщить о поступлении

FMMT589TA Транзистор биполярный PNP 30В 1A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 500mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

FMMT591ATA Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 1 А, 0.5 Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

FMMT591QTA TRANS PNP 60V 1A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

Акция

FMMT591TA Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

FMMT593TA Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

FMMT596TA Биполярный транзистор, PNP, 200 В, 0.3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 200 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 85 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц

Сообщить о поступлении

FMMT597TA Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 75 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

FMMT617TA Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 15 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 120 МГц

Сообщить о поступлении

FMMT618TA Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 2.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 2.5 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 140 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

FMMT619 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 140 МГц, 625 мВт, 2 А, 450 hFE Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

Акция

FMMT619TA Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А, 0.625Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 165 МГц

Сообщить о поступлении

FMMT620TA Биполярный транзистор NPN 80В 1.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 160 МГц

Сообщить о поступлении

FMMT624TA Биполярный транзистор, NPN, 125 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23

Сообщить о поступлении

FMMT625TA Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 1A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 135 МГц

Сообщить о поступлении

FMMT634TA Биполярный транзистор NPN Дарлингтона 100В 0.9A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 0.9 А

Сообщить о поступлении

FMMT6517TA TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 330 мВт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

FMMT6520TA TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 330 мВт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц

Сообщить о поступлении

FMMT717TA Биполярный транзистор PNP 12В 2.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 12 В Ток коллектора Макс.: 2.5 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 @ 100mA, 2V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 110 МГц

Сообщить о поступлении

FMMT718TA Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 1.5 А 625 мВт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 180 МГц

Сообщить о поступлении