Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (316)
FCX690BTA Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 400 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
FCX718TA Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 2.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20 В Ток коллектора Макс.: 2.5 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 180 МГц
FCX790ATA TRANS PNP 40V 2A SOT89 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 2 А Мощность Макс.: 2 Вт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
FMMT38CTA Транзистор биполярный NPN Дарлингтона 60В 0.3A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-3 Тип транзистора: NPN - Darlington Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 300 мА Мощность Макс.: 330 мВт Коэффициент усиления hFE: 5000 @ 100mA, 5V Тип монтажа: Поверхностный
FMMT413TD Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN, лавинный Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 330 мВт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
FMMT449TA Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 1A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
FMMT451TA TRANS NPN 60V 1A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
FMMT455TA Транзистор биполярный NPN 140В 1A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 140 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 150mA, 10V Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
FMMT458TA Биполярный транзистор NPN 400В 0.225A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 225 мА Мощность Макс.: 0.5 Вт
FMMT459TA Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 0.15A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 450 В Ток коллектора Макс.: 150 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 50 МГц
FMMT491AQTA Производитель: Diodes Incorporated
FMMT491ATA Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А, 0.5Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
FMMT491TA Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
FMMT493ATA Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
FMMT493TA Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 150 МГц
FMMT495TA Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
FMMT497TA Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 75 МГц
FMMT549ATA TRANS PNP 30V 1A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
FMMT555TA Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150 В Ток коллектора Макс.: 1 А Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE: 50 Тип монтажа: Поверхностный Граничная частота: 100 МГц
FMMT558TA Биполярный транзистор PNP 400В 0.15A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400 В Ток коллектора Макс.: 150 мА
На странице: